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 | ON Semiconductor MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK 详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Ta） 40W（Tc） ATPAK 型号：ATP106-TL-H 仓库库存编号：869-1075-1-ND 别名：869-1075-1 <br> | | 搜索 |
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 | ON Semiconductor ATP106-TL-H P-channel MOSFET Transistor, 30 A, 40 V, 3-Pin ATPAK 型号：ATP106-TL-H 仓库库存编号：70465782 |  | 搜索 |
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| 制造商零件编号： ATP106-TL-H 品牌： ON Semiconductor 库存编号： 800-9484 | 搜索 |
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ATP106-TL-H | 2724393 | ON SEMICONDUCTOR 晶体管, MOSFET, P沟道, -30 A, -40 V, 0.019 ohm, -10 V, -2.6 V (EN) | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | ATP106 |
|---|---|
| 产品相片 | ATPAK (2 leads+tab) |
| 产品目录绘图 | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 30A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 25 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1380pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 40W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商器件封装 | ATPAK |
| 产品目录页面 | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 869-1075-2 ATP106-SPL ATP106TLH |
