| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| 5LN01C-TB-E [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| 5LN01C-TB-E [更多] | ON Semiconductor | MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS: Compliant | 搜索 |
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| 5LN01C-TB-E [更多] | ON Semiconductor | , MOSFET, N, 50V, 0.1A, SOT-23 RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| 5LN01C-TB-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | ON Semiconductor MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP 详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 250mW（Ta） 3-CP 型号：5LN01C-TB-E 仓库库存编号：5LN01C-TB-EOSCT-ND 别名：5LN01C-TB-EOSCT <br> |  | 搜索 |
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 | 5LN01C-TB-E ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
5LN01C-TB-E | 2724391 | ON SEMICONDUCTOR 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 50 V, 6 ohm, 4 V, 1.3 V (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： 5LN01C-TB-E 品牌： ON Semiconductor 库存编号： 792-5221 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | ON Semiconductor 5LN01C-TB-E N-channel MOSFET Transistor, 0.1 A, 50 V, 3-Pin CP 型号：5LN01C-TB-E 仓库库存编号：70341727 |  | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| 5LN01C-TB-E ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 100MA SC59 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| 5LN01C-TB-E ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | 5LN01C |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 50V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 100mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 7.8 欧姆 @ 50mA，4V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 1.57nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6.6pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
