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| 2N3906RL1G [更多] | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP RoHS: Compliant | 搜索 |
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| 2N3906RL1G | ON Semiconductor | TRANS SS PNP GP 40V 200MA TO-92 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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2N3906RL1G | 1736550 | ON SEMICONDUCTOR 双极性晶体管, PNP, -40V TO-92 (EN) | 搜索 |
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 | ON Semiconductor TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3 型号：2N3906RL1G 仓库库存编号：2N3906RL1GOSCT-ND 别名：2N3906RL1GOSCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | 2N3906 Datasheet |
|---|---|
| 产品相片 | TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 30/Sept/2011 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 - 最大值 | 625mW |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 2N3906RL1G-ND 2N3906RL1GOSTR |
