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NXP - 2N7002PV - 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.35A SOT666 - 2N7002PV
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型号 制造商 描述 操作
2N7002PV,115
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MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666

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2N7002PV,115
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MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666

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MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666

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  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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2N7002PV,115
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MOSFET MOSFET N-CH DUAL 60V

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2N7002PV,115
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

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2N7002PV,115
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

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2N7002PV,115
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R (Alt: 2N7002PV,115)

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2N7002PV,115
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R - Tape and Reel (Alt: 2N7002PV,115)

RoHS: Compliant

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2N7002PV,115
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R (Alt: 2N7002PV,115)

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2N7002PV/S711X
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60V N-CHANNEL MOSFET (Alt: 2N7002PV/S711X)

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2N7002PV
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MOSFET, NN CH, 60V, 0.35A, SOT666

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2N7002PV
[更多]		 Nexperia

MOSFET, NN CH, 60V, 0.35A, SOT666

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2N7002PV
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350 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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2N7002PV|NXP2N7002PV
NXP		场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.35A SOT666
Rohs

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2N7002PV,115|NXP2N7002PV,115
NXP		2N7002 系列 N-沟道 60 V 3.9 Ω 0.83 W 350 mA TrenchMOS FET - SOT-666
Rohs

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无图2N7002PV 115
NXP Semiconductors		MOSFET MOSFET N-CH DUAL 60V
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无图2N7002PV115
NXP		原厂原装货
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2N7002PV,115|NXP Semiconductors2N7002PV,115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-666
Rohs

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2N7002PV|NXP2N7002PV
NXP		场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.35A SOT666
Rohs

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无图2N7002PV,115
NXP		2N7002 系列 N-沟道 60 V 3.9 Ω 0.83 W 350 mA TrenchMOS FET - SOT-666
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2N7002PV,115|NXP Semiconductors2N7002PV,115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-666
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Nexperia USA Inc. - 2N7002PV,115 - MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666		Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 350mA 330mW Surface Mount SOT-666

型号：2N7002PV,115
仓库库存编号：1727-4792-1-ND
别名：1727-4792-1 <br>568-5986-1 <br>568-5986-1-ND <br> 		无铅搜索
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
2N7002PV
NEXPERIA 2N7002PV		1972663

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.75 V

 (EN)		搜索
2N7002PV
NEXPERIA 2N7002PV		1972663RL

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.75 V

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2N7002PV|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
2N7002PV
制造商型号： 2N7002PV
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.35A SOT666
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.35A SOT666
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 350mA
  • 漏源电压, Vds: 60V
  • 在电阻RDS（上）: 1ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.75V
  • 功耗, Pd: 500mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-666
  • 针脚数: 6
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 500mW
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 模块配置: 双N通道
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 60V
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 350mA
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 1ohm

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