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NXP - 2N7002PV,115 - 2N7002 系列 N-沟道 60 V 3.9 Ω 0.83 W 350 mA TrenchMOS FET - SOT-666 - 2N7002PV115
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2N7002PV,115 NXP 2N7002 系列 N-沟道 60 V 3.9 Ω 0.83 W 350 mA TrenchMOS FET - SOT-666 查看库存、价格及货期
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Nexperia USA Inc. - 2N7002PV,115 - MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 350mA 330mW Surface Mount SOT-666

型号:2N7002PV,115
仓库库存编号:1727-4792-1-ND
别名:1727-4792-1 <br>568-5986-1 <br>568-5986-1-ND <br>
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2N7002PV,115
制造商型号: 2N7002PV,115
制造商: NXP
描述: 2N7002 系列 N-沟道 60 V 3.9 Ω 0.83 W 350 mA TrenchMOS FET - SOT-666
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产品信息
  • Channel Type: Dual N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 1.6 Ω
  • Qg Gate Charge: 0.8 nC
  • Rated Power Dissipation: 330 mW

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