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| PHB108NQ03LT,118 [更多] | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS
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 | NXP USA Inc. MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 75A（Tc） 187W（Tc） D2PAK 型号：PHB108NQ03LT,118 仓库库存编号：PHB108NQ03LT,118-ND 别名：934056956118 <br>PHB108NQ03LT /T3 <br>PHB108NQ03LT /T3-ND <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | PHB,PHD,PHU108NQ03LT |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 75A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 6 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16.3nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1375pF @ 12V |
| 功率 - 最大值 | 187W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 934056956118 PHB108NQ03LT /T3 PHB108NQ03LT /T3-ND |
