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NXP Semiconductors - PDTC124TMB,315 - TRANSISTOR NPN W/RES 3DFN - PDTC124TMB315
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Nexperia

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

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Nexperia

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

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Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTC124TMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin DFN T/R - Tape and Reel (Alt: PDTC124TMB,315)

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Nexperia USA Inc. - PDTC124TMB,315 - TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006B (0.6x1)

型号:PDTC124TMB,315
仓库库存编号:PDTC124TMB,315-ND
别名:934066527315 <br>

无铅
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PDTC124TMB,315
制造商型号: PDTC124TMB,315
制造商: NXP Semiconductors
描述: TRANSISTOR NPN W/RES 3DFN
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 PDTC124TMB
标准包装  10,000
类别分立半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列-
包装  带卷 (TR)  
晶体管类型NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)22k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)-
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA
频率 - 跃迁230MHz
功率 - 最大值250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳3-XDFN
供应商器件封装3-DFN1006B(0.6x1)

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