PDF查询| 数据列表 | APT65GP60L2DQ2(G) |
|---|---|
| 产品相片 | TO-264 PKG |
| 产品目录绘图 | TO-264 Front |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V，65A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 198A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 250A |
| 功率 - 最大值 | 833W |
| Switching Energy | 605µJ (开), 895µ:J (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (on/off) A 25°C | 30ns/90ns |
| Test Condition | 400V, 65A, 5 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | * |
| 产品目录页面 | 1633 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | APT65GP60L2DQ2GMI APT65GP60L2DQ2GMI-ND |
