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INFINEON - SPW15N60CFD - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-247 - SPW15N60CFD
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SPW15N60CFDFKSA1
库存编号:2156-SPW15N60CFDFKSA1-ND		 Rochester Electronics LLC POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 10
141起订		141+
￥26.66
6-10天询价 询价
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SPW15N60CFDFKSA1
库存编号:SPW15N60CFDFKSA1-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 650V 13.4A TO247-30
141起订		6-10天询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
SPW15N60CFDFKSA1
库存编号:86152864		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 600V 13.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube0
155起订		155+
500+
1000+
￥32.54
￥31.03
￥29.35
1-2周询价 询价
SPW15N60CFDFKSA1
库存编号:86138703		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 600V 13.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube0
155起订		155+
500+
1000+
￥32.54
￥31.03
￥29.35
1-2周询价 询价
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型号 制造商 描述 操作
SPW15N60CFDFKSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SPW15N60CFD
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 600V 13.4A TO247-3 CoolMOS CFD

RoHS: Compliant

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SPW15N60CFDFKSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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型号 制造商 描述 操作
SPW15N60CFD
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 13.4A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: SPW15N60CFDFKSA1)

RoHS: Compliant

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SPW15N60CFD
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 13.4A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: SPW15N60CFD)

RoHS: Compliant

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SPW15N60CFDXK
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 13.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 - Rail/Tube (Alt: SPW15N60CFDFKSA1)

RoHS: Compliant

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SPW15N60CFD
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SPW15N60CFD|INFINEONSPW15N60CFD
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 TO-247
Rohs

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Infineon Technologies		原厂原装货
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INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 TO-247
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Infineon Technologies		MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247
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Infineon Technologies		MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247
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SPW15N60CFD|INFINEON
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SPW15N60CFD
制造商型号： SPW15N60CFD
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 TO-247
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 TO-247
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 13.4A
  • 漏源电压, Vds: 650V
  • 在电阻RDS（上）: 330mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
  • 功耗, Pd: 156W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-247
  • 针脚数: 3
  • MSL: (Not Applicable)
  • 封装/箱盒: TO-247
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值: 13.4A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 650V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 表面安装器件: 通孔

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