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INFINEON - IPP90R500C3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220 - IPP90R500C3
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IPP90R500C3XKSA1
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 900V 11A TO-220

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IPP90R500C3
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 900V 11A TO220-3 CoolMOS C3

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IPP90R500C3XKSA1
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MOSFET LOW POWER_LEGACY

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MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin TO-220 Tube (Alt: IPP90R500C3)

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin TO-220 Tube (Alt: IPP90R500C3XKSA1)

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 - Rail/Tube (Alt: IPP90R500C3XKSA1)

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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 900V, 6.8A, 156W, PG-TO220-3

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Infineon - IPP90R500C3 - Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
IPP90R500C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7611
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IPP90R500C3
制造商型号: IPP90R500C3
制造商: INFINEON
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 11A
  • 漏源电压, Vds: 900V
  • 在电阻RDS(上): 500mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 156W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-220
  • 针脚数: 3
  • MSL: (Not Applicable)
  • 封装/箱盒: TO-220
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值: 11A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 900V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 表面安装器件: 通孔

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IPP90R500C3
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