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| SPU09P06PL [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-Ch -60V -9.7A IPAK-3 RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251 详细描述：通孔 P 沟道 60V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3 型号：SPU09P06PL 仓库库存编号：SPU09P06PLIN-ND 别名：SP000012876 <br>SPU09P06PLIN <br>SPU09P06PLX <br>SPU09P06PLXTIN <br>SPU09P06PLXTIN-ND <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | SPD,SPU09P06PL |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 15/Apr/2008 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SIPMOS® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 9.7A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 250 毫欧 @ 6.8A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 42W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
| 其它名称 | SP000012876 SPU09P06PLIN SPU09P06PLX SPU09P06PLXTIN SPU09P06PLXTIN-ND |
