| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB03N03LA G [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IPB03N03LAG [更多] | Infineon Technologies AG |
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| IPB03N03LA [更多] | Infineon Technologies AG | 80 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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| IPB03N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IPB03N03LA Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
| IPB03N03LA G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 | 查价格库存 查看详细 |
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 | IPB03N03LA Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| IPB03N03LA G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2 型号：IPB03N03LA 仓库库存编号：IPB03N03LA-ND 别名：IPB03N03LAT <br>SP000014034 <br> | 含铅 | 搜索 |
| Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2 型号：IPB03N03LA G 仓库库存编号：IPB03N03LAGINCT-ND 别名：IPB03N03LAG <br>IPB03N03LAGINCT <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IPB03N03LA G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 04/Jun/2009 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 80A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2.7 毫欧 @ 55A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 57nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 7027pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 150W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB03N03LAT SP000014034 |
