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BSL802SN L6327 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 20V 7.5A TSOP-6 RoHS: Compliant | 搜索 |
BSL802SNL6327HTSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
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BSL802SNL6327HTSA1 [更多] | Infineon Technologies AG |
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BSL802SN L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 | 查看库存、价格及货期 |
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BSL802SN L6327![]() | 2212876 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.018 ohm, 2.5 V, 550 mV ![]() | 搜索 |
数据列表 | BSL802SN |
---|---|
产品相片 | SC-74, SOT-457 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 7.5A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 22 毫欧 @ 7.5A,2.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 750mV @ 30µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4.7nC @ 2.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1347pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | PG-TSOP6-6 |
其它名称 | BSL802SN L6327-ND BSL802SN L6327INTR BSL802SNL6327 SP000442478 |