PDF查询| 数据列表 | BSC750N10ND G BSC750N10ND G |
|---|---|
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 13A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 75 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 12µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 720pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 26W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） |
| 其它名称 | BSC750N10ND G-ND BSC750N10ND GTR BSC750N10NDG SP000359610 |
