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Ixys - IXFN44N100P - MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds - IXFN44N100P
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MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B

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IXFN44N100P
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IXYS Corporation

MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds

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IXFN44N100P
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IXYS Corporation

Single N-Channel 1000 Vds 220 mOhm 890 W Power Mosfet - SOT-227B

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
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IXYS - IXFN44N100P - MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B

详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 37A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B

型号:IXFN44N100P
仓库库存编号:IXFN44N100P-ND

无铅
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IXFN44N100P|Ixys
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFN44N100P
制造商型号: IXFN44N100P
制造商: Ixys
描述: MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:IXYS
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:1000 V
闸/源击穿电压:+/- 30 V
漏极连续电流:37 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):220 mOhms
配置:Single Dual Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-227B
封装:Tube
下降时间:54 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:890 W
上升时间:68 ns
工厂包装数量:10
典型关闭延迟时间:90 ns

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXFN44N100P
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