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IXYS RF - IXFN24N100F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B - IXFN24N100F
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IXFN24N100F
库存编号:IXFN24N100F-ND		 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B0
10起订		10+
￥322.99
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型号 制造商 描述 操作
IXFN24N100F
[更多]		 IXYS Corporation

MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXFN24N100F
[更多]		 IXYS Corporation

MOSFET

RoHS: Compliant

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IXFN24N100F IXYS RF 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B 查看库存、价格及货期
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IXFN24N100F
IXYS RF IXFN24N100F		1347749

IXYS RF

晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B

 (EN)		搜索
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

IXYS - IXFN24N100F - MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B		IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B
详细描述：底座安装 N 沟道 24A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B

型号：IXFN24N100F
仓库库存编号：IXFN24N100F-ND

无铅		搜索
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图IXFN24N100F
Ixys		MOSFET
Rohs

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IXFN24N100F|IXYS RFIXFN24N100F
IXYS RF		场效应管 MOSFET N RF SOT-227B
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IXFN24N100F|IxysIXFN24N100F
Ixys		MOSFET
Rohs

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IXFN24N100F|IXYS RF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IXFN24N100F
制造商型号： IXFN24N100F
制造商： IXYS RF
描述： 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B
  • 晶体管类型: RF MOSFET
  • 漏源电压, Vds: 1kV
  • 电流, Id 连续: 24A
  • 功耗, Pd: 600W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-227B
  • 针脚数: 4
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 上升时间: 18ns
  • 功耗, Pd: 600W
  • 功耗最大值: 600W
  • 在电阻RDS（上）: 390mohm
  • 封装/箱盒: ISOTOP
  • 封装类型: ISOTOP
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 工作频率范围: -
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 1kV
  • 电容值, Ciss 典型值: 6600pF
  • 表面安装器件: 螺丝
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 5.5V
产地： US United States

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