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IXYS RF - IXFK44N50F - 场效应??? MOSFET N RF TO-264 - IXFK44N50F
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IXFK44N50F
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IXYS Corporation

MOSFET HiperRF Power MOSFET 500V, 44A, 0.12 Ohm

RoHS: Compliant

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IXFK44N50F|IxysIXFK44N50F
Ixys
MOSFET HiperRF Power MOSFET 500V, 44A, 0.12 Ohm
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Ixys
MOSFET HiperRF Power MOSFET 500V, 44A, 0.12 Ohm
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IXYS RF
场效应??? MOSFET N RF TO-264
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IXYS - IXFK44N50F - MOSFET N-CH 500V 44A TO264
IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO264

详细描述:通孔 N 沟道 500V 44A(Tc) 500W(Tc) TO-264(IXFK)

型号:IXFK44N50F
仓库库存编号:IXFK44N50F-ND

无铅
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IXFK44N50F|IXYS RF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFK44N50F
制造商型号: IXFK44N50F
制造商: IXYS RF
描述: 场效应??? MOSFET N RF TO-264
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N RF TO-264
  • 晶体管类型: RF MOSFET
  • 漏源电压, Vds: 500V
  • 电流, Id 连续: 44A
  • 功耗, Pd: 500W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-264
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 上升时间: 18ns
  • 功耗, Pd: 500W
  • 功耗最大值: 500W
  • 在电阻RDS(上): 120mohm
  • 封装/箱盒: TO-264
  • 封装类型: TO-264
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 工作频率范围: -
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 500V
  • 电容值, Ciss 典型值: 5500pF
  • 表面安装器件: 通孔
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 5V
产地: US United States

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