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| IRLU8259PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 25V, 57A, 8.7 MOHM, 6.8NC QG, LOGIC LEVEL,I-PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRLU8259PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 25V 57A IPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRLU8259PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 25V 57A IPAK  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 57A IPAK 详细描述：通孔 N 沟道 25V 57A（Tc） 48W（Tc） I-Pak 型号：IRLU8259PBF 仓库库存编号：IRLU8259PBF-ND 别名：SP001574068 <br> | | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 25 V 57 A 48 W IPAK, IRLU8259PBF, IR 型号：IRLU8259PBF 仓库库存编号：171-02-370 | | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRLU8259PBF 品牌： Infineon 库存编号： 688-7291 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRLR8259PBF, IRLU8259PBF |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 57A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 8.7 毫欧 @ 21A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 900pF @ 13V |
| 功率 - 最大值 | 48W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
