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IRL3716SPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK 型号:IRL3716SPBF 仓库库存编号:IRL3716SPBF-ND 别名:SP001568304 <br> | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | IRL3716(S,L)PbF |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 180A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 4 毫欧 @ 90A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 79nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5090pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 210W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |