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International Rectifier - IRGS4B60KD1PBF - IGBT W/DIODE 600V 11A D2PAK - IRGS4B60KD1PBF
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IRGS4B60KD1PBF
库存编号:IRGS4B60KD1PBF-ND
Infineon Technologies AG IGBT NPT 600V 11A D2PAK0
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Infineon Technologies AG

IGBT 600V 11A 63W D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Infineon Technologies AG

IGBT Transistors 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT

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Infineon Technologies AG

Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRGS4B60KD1PBF)

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Infineon Technologies AG

Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 63000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Infineon Technologies AG

Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 63000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Infineon Technologies AG

SINGLE IGBT, 600V, 11A

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Infineon Technologies AG

600V LOW-VCEON NON PUNCH THROUGH COPACKIGBT IN A D2-PAK PACKAGE

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Infineon Technologies AG

Transistor: IGBT, 600V, 12A, 63W, D2PAK

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IRGS4B60KD1PBF|International RectifierIRGS4B60KD1PBF
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IGBT W/DIODE 600V 11A D2PAK
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IRGS4B60KD1PBF.
INFINEON IRGS4B60KD1PBF.
2135372

INFINEON

晶体管, IGBT, 600V, 11A

(EN)
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IRGS4B60KD1PBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRGS4B60KD1PBF
制造商型号: IRGS4B60KD1PBF
制造商: International Rectifier
描述: IGBT W/DIODE 600V 11A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
数据列表 IRG(B,S,SL)4B60KD1PbF
产品相片 TO-263
产品培训模块 IGBT Primer Device and Applications
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源 IRGB4B60KD1PBF Saber Model
IRGB4B60KD1PBF Spice Model
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列-
包装  管件  
IGBT 类型NPT
电压 - 集射极击穿(最大值)600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)2.5V @ 15V,4A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)11A
Current - Collector Pulsed (Icm)22A
功率 - 最大值63W
Switching Energy120µJ
输入类型标准
Gate Charge12nC
Td (on/off) A 25°C22ns/100ns
Test Condition400V, 4A, 100 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)93ns
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型表面贴装
供应商器件封装D2PAK
其它名称*IRGS4B60KD1PBF

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRGS4B60KD1PBF
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