型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFU3704ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 20V 60A 8.4mOhm 9.3nC Qg RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFU3704PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 6.4nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFU3704ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 20V, RDS(ON) 6.7Milliohms, ID 60A, I-Pak (TO-251AA), PD 48W RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IRFU3704PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 20V, 62A, 9.5 MOHM, 19 NC QG, I-PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFU3704ZPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: IPAK Polarity: N Power dissipation: 48 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFU3704 | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK | 查看库存、价格及货期 |
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| 制造商零件编号: IRFU3704ZPBF 品牌: International Rectifier 库存编号: 688-7137 | 搜索 |
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![]() | IR MOSFET N, 20 V 60 A 48 W IPAK, IRFU3704ZPBF, IR 型号:IRFU3704ZPBF 仓库库存编号:171-02-356 | 搜索 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK 详细描述:通孔 N 沟道 20V 75A(Tc) 90W(Tc) IPAK(TO-251) 型号:IRFU3704 仓库库存编号:IRFU3704-ND 别名:*IRFU3704 <br> | 含铅 | 搜索 |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 60A I-PAK 详细描述:通孔 N 沟道 20V 60A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251) 型号:IRFU3704ZPBF 仓库库存编号:IRFU3704ZPBF-ND 别名:*IRFU3704ZPBF <br>SP001578388 <br> | 无铅 | 搜索 |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK 详细描述:通孔 N 沟道 20V 75A(Tc) 90W(Tc) IPAK(TO-251) 型号:IRFU3704PBF 仓库库存编号:IRFU3704PBF-ND 别名:*IRFU3704PBF <br>SP001576342 <br> | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | IRF(R,U)3704 |
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产品相片 | DPAK_369D?01 |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 75A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 9.5 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 19nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1996pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 90W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | *IRFU3704 |