| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFS23N15DTRLP [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRFS23N15DTRLP [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFS23N15DTRLP [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRFS23N15DTRLP) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFS23N15DTRLP [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFS23N15DTRLP) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFS23N15DTRLP [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFS23N15DTRLP [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFS23N15DTRLP [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 150V, 23A, TO-263AB
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| IRFS23N15DTRLP [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 150 V 90 mOhm 37 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRFS23N15DTRLP [更多] | International Rectifier |
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| IRFS23N15DTRLP | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） D2PAK 型号：IRFS23N15DTRLP 仓库库存编号：IRFS23N15DTRLPCT-ND 别名：IRFS23N15DTRLPCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRFB23N15DPbF, IRFS(L)23N15DPbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 23A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 90 毫欧 @ 14A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRFS23N15DTRLP-ND IRFS23N15DTRLPTR |
