型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: IRFR4105TRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFR4105TRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 55V 0.045 Ohm 34 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.045Ohm, ID 27A, D-Pak (TO-252AA), PD 68W RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFR4105TRLPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRFR4105TRLPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRFR4105TRLPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRFR4105TRLPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
数据列表 | IRFR4105PbF, IRFU4105PbF |
---|---|
产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRFR4105 Saber Model IRFR4105 Spice Model |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 27A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 45 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 34nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 700pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 68W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |