| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: IRFR4105TRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFR4105TRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 55V 0.045 Ohm 34 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRFR4105TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.045Ohm, ID 27A, D-Pak (TO-252AA), PD 68W RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRFR4105TRLPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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PDF查询| 数据列表 | IRFR4105PbF, IRFU4105PbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRFR4105 Saber Model IRFR4105 Spice Model |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 27A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 45 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 68W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
