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International Rectifier - IRFR4105TRLPBF - MOSFET N-CH 55V 27A DPAK - IRFR4105TRLPBF
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MOSFET N-CH 55V 27A DPAK

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MOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFR4105TRLPBF)

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Single N-Channel 55V 0.045 Ohm 34 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.045Ohm, ID 27A, D-Pak (TO-252AA), PD 68W

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IRFR4105TRLPBF
制造商型号: IRFR4105TRLPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 IRFR4105PbF, IRFU4105PbF
产品相片 TO-263
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源 IRFR4105 Saber Model
IRFR4105 Spice Model
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)27A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)45 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)34nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)700pF @ 25V
功率 - 最大值68W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak

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