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| IRFR220NTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 200V 5A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRFR220NTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFR220NTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: IRFR220NTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFR220NTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFR220NTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFR220NTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| IRFR220NTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 600 Milliohms, ID 5A, D-Pak (TO-252AA), PD 43W RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRFR220NTRR | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 5A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 5A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak 型号：IRFR220NTRR 仓库库存编号：IRFR220NTRR-ND | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRFR220N, IRFU220N |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 设计资源 | IRFR220NPBF Saber Model IRFR220NPBF Spice Model |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 600 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 300pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 43W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
