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International Rectifier - IRFR220NPB - MOSFET,N沟道,200V,5A,DPAK - IRFR220NPB
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IRFR220NPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 200V 5A DPAK

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IRFR220NPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC

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IRFR220NPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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IRFR220NPBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Rail/Tube (Alt: IRFR220NPBF)

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK (Alt: IRFR220NPBF)

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IRFR220NPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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IRFR220NPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, N, 200V, 5A, D-PAK

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Infineon Technologies AG

Single N-Channel 200 V 6.8 mOhm 23 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252-3

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Infineon Technologies AG

Single N-Channel 200 V 6.8 mOhm 23 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252-3

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IRFR220NPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 600 Milliohms, ID 5A, D-Pak (TO-252AA), PD 43W

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IRFR220NPBF
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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 43 W

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IRFR220NPBF
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Infineon Technologies AG

Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 5A, 43W, DPAK, HEXFET?

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IRFR220NPB International Rectifier MOSFET,N沟道,200V,5A,DPAK 查看库存、价格及货期
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International Rectifier
MOSFET,N沟道,200V,5A,DPAK
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IRFR220NPBF|International RectifierIRFR220NPBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFR220NPBF
INFINEON IRFR220NPBF
8649693

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 600 mohm, 10 V, 4 V

(EN)
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IRFR220NPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR220NPBF
2565795

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 5A, D-PAKS

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IRFR220NPBF|International RectifierIRFR220NPBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
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无图IRFR220NPB
International Rectifier
MOSFET,N沟道,200V,5A,DPAK
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRFR220NPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR220NPBF, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
IRFR220NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2216
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Infineon - IRFR220NPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR220NPBF, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
IRFR220NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3875
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRFR220NPBF|International RectifierIRFR220NPBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Rohs

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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

IR - IRFR220NPBF - MOSFET N, 200 V 5.0 A 43 W DPAK, IRFR220NPBF, IR
IR
MOSFET N, 200 V 5.0 A 43 W DPAK, IRFR220NPBF, IR


型号:IRFR220NPBF
仓库库存编号:171-38-472

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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFR220NPB
制造商型号: IRFR220NPB
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET,N沟道,200V,5A,DPAK
技术参考: PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型关断延迟时间20 ns
典型接通延迟时间6.4 ns
典型栅极电荷@Vgs15 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds300 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度6.22mm
封装类型DPAK
尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散43 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压200 V
最大漏源电阻值0.6 Ω
最大连续漏极电流5 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度6.73mm
高度2.39mm

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRFR220NPB
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