型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF9Z34NSTRRPBF 库存编号:448-IRF9Z34NSTRRPBFCT-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | 0 起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
IRF9Z34NSTRRPBF 库存编号:448-IRF9Z34NSTRRPBFDKR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | 0 1起订 | 1+ | ¥16.2 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
IRF9Z34NSTRRPBF 库存编号:448-IRF9Z34NSTRRPBFTR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF9Z34NSTRRPBF 库存编号:85994952 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | 124000 617起订 | 617+ 1000+ | ¥8.17 ¥7.71 | 1-2周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF9Z34NSTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF9Z34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF9Z34NSTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF9Z34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRF9Z34NSTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -55V, RDS(ON) 0.1Ohm, ID -19A, D2Pak, PD 68W, VGS +/-20V, -55d RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRF9Z34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: P-MOSFET, unipolar, -55V, -19A, 68W, D2PAK, HEXFET?
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF9Z34NSTRRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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数据列表 | IRF9Z34NS/L |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 19A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 100 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 620pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |