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International Rectifier - IRF9Z34NSPB - MOSFET,P沟道,55V,19A,D2PAK - IRF9Z34NSPB
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IRF9Z34NSPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

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IRF9Z34NSPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC

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IRF9Z34NSPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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IRF9Z34NSPBF
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Infineon Technologies AG

, MOSFET, P, D2-PAK

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IRF9Z34NSPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -55V, RDS(ON) 0.1Ohm, ID -19A, D2Pak, PD 68W, VGS +/-20V, -55d

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IRF9Z34NSPBF
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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK Polarity: P Power dissipation: 68 W

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IRF9Z34NSPBF
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Infineon Technologies AG

Transistor: P-MOSFET, unipolar, -55V, -19A, 68W, D2PAK

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IRF9Z34NSPB International Rectifier MOSFET,P沟道,55V,19A,D2PAK 查看库存、价格及货期
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无图IRF9Z34NSPB
International Rectifier
MOSFET,P沟道,55V,19A,D2PAK
Rohs

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IRF9Z34NSPBF|International RectifierIRF9Z34NSPBF
International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
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IRF9Z34NSPBF
INFINEON IRF9Z34NSPBF
9103139

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, 19 A, -55 V, 100 mohm, -10 V, -4 V

(EN)
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IRF9Z34NSPBF.
INFINEON IRF9Z34NSPBF.
2127460

INFINEON

场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 19A, D2-PAK

(EN)
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IRF9Z34NSPBF|International RectifierIRF9Z34NSPBF
International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
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无图IRF9Z34NSPB
International Rectifier
MOSFET,P沟道,55V,19A,D2PAK
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IR - IRF9Z34NSPBF - MOSFET P, -55 V -19 A 68 W D2PAK, IRF9Z34NSPBF, IR
IR
MOSFET P, -55 V -19 A 68 W D2PAK, IRF9Z34NSPBF, IR


型号:IRF9Z34NSPBF
仓库库存编号:171-38-985

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IRF9Z34NSPBF|International RectifierIRF9Z34NSPBF
International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF9Z34NSPBF - Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NSPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
IRF9Z34NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9484
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无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF9Z34NSPB
制造商型号: IRF9Z34NSPB
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET,P沟道,55V,19A,D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型关断延迟时间30 ns
典型接通延迟时间13 ns
典型栅极电荷@Vgs35 常闭 V @ 10
典型输入电容值@Vds620 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度9.65mm
封装类型D2PAK
尺寸10.67 x 9.65 x 4.83mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散3.8 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压55 V
最大漏源电阻值Ω0.1
最大连续漏极电流19 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置
长度10.67mm
高度4.83mm

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