型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | , MOSFET, P, D2-PAK RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -55V, RDS(ON) 0.1Ohm, ID -19A, D2Pak, PD 68W, VGS +/-20V, -55d RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK Polarity: P Power dissipation: 68 W | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF9Z34NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: P-MOSFET, unipolar, -55V, -19A, 68W, D2PAK | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF9Z34NSPB | International Rectifier | MOSFET,P沟道,55V,19A,D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF9Z34NSPB International Rectifier | MOSFET,P沟道,55V,19A,D2PAK![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IRF9Z34NSPBF International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF9Z34NSPBF![]() | 9103139 | INFINEON 晶体管, MOSFET, P沟道, 19 A, -55 V, 100 mohm, -10 V, -4 V ![]() | 搜索 |
IRF9Z34NSPBF.![]() | 2127460 | INFINEON 场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 19A, D2-PAK ![]() | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF9Z34NSPBF International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | IR MOSFET P, -55 V -19 A 68 W D2PAK, IRF9Z34NSPBF, IR 型号:IRF9Z34NSPBF 仓库库存编号:171-38-985 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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| 制造商零件编号: IRF9Z34NSPBF 品牌: Infineon 库存编号: 542-9484 | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 30 ns | |
典型接通延迟时间 | 13 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 35 常闭 V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 620 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 9.65mm | |
封装类型 | D2PAK | |
尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 3.8 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 55 V | |
最大漏源电阻值 | Ω0.1 | |
最大连续漏极电流 | 19 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.67mm | |
高度 | 4.83mm |