| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9953TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
| IRF9953TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| IRF9953TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
| IRF9953PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9953PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9953PBF-EL [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-Pin SO Tube (Alt: IRF9953PBF-EL) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9953PBF [更多] | Infineon Technologies AG | , MOSFET, PP SO-8 RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF9953PB | International Rectifier | MOSFET，P沟道，30V，2.3A，SOIC8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF9953PB International Rectifier | MOSFET，P沟道，30V，2.3A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF9953PBF International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF9953PBF International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRF9953PBF International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| IRF9953PB International Rectifier | MOSFET，P沟道，30V，2.3A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRF9953PBF 品牌： Infineon 库存编号： 541-0339 | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF9953PBF | 9102230 | INFINEON 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.3 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -1 V (EN) | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9.7 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.1 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 190 pF V @ 15 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.25 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 2.3 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
