型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805ZTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRF7805ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 18nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805ZPBF [更多] | International Rectifier |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF7805ZPB | International Rectifier | MOSFET,N沟道,30V,16A,SOIC8 | 查看库存、价格及货期 |
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| 制造商零件编号: IRF7805ZPBF 品牌: Infineon 库存编号: 650-4053 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF7805ZPBF![]() | 1013441 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.25 V ![]() | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 14 ns | |
典型接通延迟时间 | 11 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 18 nC V @ 4.5 | |
典型输入电容值@Vds | 2080 pF V @ 15 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 4mm | |
封装类型 | SOIC | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2500 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 30 V | |
最大漏源电阻值 | 0.007 Ω | |
最大连续漏极电流 | 16 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 四漏极、单、三源 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |