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| IRF7471PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 21nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7471PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 40V, RDS(ON) 13 Milliohms, ID 10A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF7471PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
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PDF查询| 数据列表 | IRF7471PbF |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 4,085 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 10A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 13 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 32nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2820pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
