| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7452TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF7452PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFETs RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7452PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC - Rail/Tube (Alt: IRF7452PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7452PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7452PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, SO-8
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| IRF7452PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 100 V 0.06 Ohm 33 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7452PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 0.06Ohm, ID 4.5A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-30V, -55 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7452PBF [更多] | International Rectifier |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7452PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 4.5A, 2.5W, SO8, HEXFET?
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF7452PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，100V，4.5A，SOIC8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF7452PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，100V，4.5A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF7452PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRF7452PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| IRF7452PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，100V，4.5A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRF7452PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF7452PBF | 9102817 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 100 V, 60 mohm, 10 V, 5.5 V (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR MOSFET N, 100 V 4.5 A 2.5 W SO-8, IRF7452PBF, IR 型号：IRF7452PBF 仓库库存编号：171-15-967 | | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 16 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9.5 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 33 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 930 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.06 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
