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International Rectifier - IRF7433PBF - MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC - IRF7433PBF
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IRF7433PBF
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Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO0
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IRF7433TRPBF
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Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO0
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Infineon Technologies AG

MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 24mOhms 20nC

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Infineon Technologies AG

MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -8.9A, 24 MOHM, 20 NC QG, SO-8

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IRF7433PBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7433PBF
制造商型号: IRF7433PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 IRF7433PbF
产品相片 8-SOIC
PCN Obsolescence Gen 8 Rev2 08/Jul/2011
标准包装  95
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8.9A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)24 毫欧 @ 8.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1877pF @ 10V
功率 - 最大值2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO

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