| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF6609 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS: Not compliant | 搜索 |
| IRF6609TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF6609TR1PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF6609TR1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS: Not compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF6609TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 20 V 2.6 mOhm 69 nC HEXFET? Power Mosfet - DirectFET? RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF6609TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | A 20V N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET WITH 20 VOLT GATE IN THE DIRECTFET MT PACKAG RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| IRF6609TR1PBF [更多] | Infineon Technologies AG | 20V N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF6609TRPBF [更多] | International Rectifier |
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF6609 | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET 详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 31A（Ta），150A（Tc） 1.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MT 型号：IRF6609 仓库库存编号：IRF6609CT-ND 别名：*IRF6609 <br>IRF6609CT <br> |  | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF6609 International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 查价格库存 查看详细 |
| IRF6609TR1 International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRF6609 International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 查价格库存 查看详细 |
| IRF6609TR1 International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF6609 International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 查价格库存 查看详细 |
| IRF6609TR1 International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | IRF6609 |
|---|---|
| 产品相片 | IRF6614TR1PBF |
| 其它有关文件 | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
| 产品目录绘图 | IR Hexfet Circuit |
| 设计资源 | IRF6609 Saber Model IRF6609 Spice Model |
| 标准包装 | 4,800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 31A （Ta）， 150A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2 毫欧 @ 31A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.45V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 69nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6290pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET? MT |
| 产品目录页面 | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | IRF6609TR |
