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 | Infineon Technologies MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO 型号：IRF5803D2TRPBF 仓库库存编号：IRF5803D2TRPBFCT-ND 别名：IRF5803D2TRPBFCT <br> |  | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRF5803D2PbF |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRF5803D2 Saber Model IRF5803D2 Spice Model |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | FETKY™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 二极管（隔离式） |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.4A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 112 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1110pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF5803D2TRPBF-ND IRF5803D2TRPBFTR |
