| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF530NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF530NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF530NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF530NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRF530NSPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF530NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF530NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 100V, 17A, D2-PAK
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| IRF530NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 100 V 70 W 37 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF530NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 90 Milliohms, ID 17A, D2Pak, PD 70W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF530NSPBF [更多] | International Rectifier |
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| IRF530NSPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 79 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF530NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 17A, 3.8W, D2PAK, HEXFET?
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF530NSPBF [更多] | International Rectifier | 17 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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| IRF530NSPBF [更多] | International Rectifier | 17 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF530NSPB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，100V，17A，D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF530NSPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF530NSPB International Rectifier | MOSFET，N沟道，100V，17A，D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRF 530NSPBF International Rectifier | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IRF530NSPB International Rectifier | MOSFET，N沟道，100V，17A，D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF530NSPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRF530NSPBF 品牌： Infineon 库存编号： 542-9260 | 搜索 |
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| IRF530NSPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 90Milliohms; ID 17A; D2Pak; PD 70W; VGS +/-20V 型号：IRF530NSPBF 仓库库存编号：70017477 |   | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR MOSFET N, 100 V 17 A 79 W D2PAK, IRF530NSPBF, IR 型号：IRF530NSPBF 仓库库存编号：171-14-937 | | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 35 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9.2 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 37 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 920 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 3.8 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.09 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 17 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 高度 | 4.83mm |
