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International Rectifier - IRF3205PB - MOSFET，N沟道，55V，110A，HEXFET，TO220AB - IRF3205PB
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IRF3205PBF
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MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB

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IRF3205PBF
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MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC

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IRF3205PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205PBF
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Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF3205PBF)

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IRF3205PBF
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Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF3205PBF)

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IRF3205PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205PBF
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MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220

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IRF3205PBF
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Single N-Channel 55 V 8 mOhm 146 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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IRF3205PBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 8 Milliohms, ID 110A, TO-220AB, PD 200W, gFS 44S

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IRF3205PBF
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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 200 W

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IRF3205PBF
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 55V, 98A, 150W, TO220AB, HEXFET?

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Electronic Component

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IRF3205PBF
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IRF3205PB International Rectifier MOSFET，N沟道，55V，110A，HEXFET，TO220AB 查看库存、价格及货期
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRF3205PBF
INFINEON IRF3205PBF		1704017

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V

 (EN)		搜索
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International Rectifier - IRF3205PBF - gFS 44S PD 200W TO-220AB ID 110A RDS(ON) 8 Milliohms VDSS 55V N-Ch MOSFET, Power|70016950 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 8 Milliohms; ID 110A; TO-220AB; PD 200W; gFS 44S

型号：IRF3205PBF
仓库库存编号：70016950

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Infineon Technologies - IRF3205PBF - MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB

型号：IRF3205PBF
仓库库存编号：IRF3205PBF-ND
别名：*IRF3205PBF <br>64-0085PBF <br>64-0085PBF-ND <br>SP001559536 <br>

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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

IR - IRF3205PBF - MOSFET N, 55 V 110 A 200 W TO-220AB, IRF3205PBF, IR		IR
MOSFET N, 55 V 110 A 200 W TO-220AB, IRF3205PBF, IR

型号：IRF3205PBF
仓库库存编号：171-37-359

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF3205PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3205PBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRF3205PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
919-4763
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Infineon - IRF3205PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3205PBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRF3205PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
540-9783
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  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图IRF3205PB
International Rectifier		MOSFET，N沟道，55V，110A，HEXFET，TO220AB
Rohs

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IRF3205PBF|International RectifierIRF3205PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
Rohs

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IRF3205PBF|International RectifierIRF3205PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
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International Rectifier		MOSFET，N沟道，55V，110A，HEXFET，TO220AB
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International Rectifier		MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRF3205PB
制造商型号： IRF3205PB
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET，N沟道，55V，110A，HEXFET，TO220AB
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
典型关断延迟时间50 ns
典型接通延迟时间14 ns
典型栅极电荷@Vgs146 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds3247 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度4.69mm
封装类型TO-220AB
尺寸10.54 x 4.69 x 8.77mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散200 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压55 V
最大漏源电阻值0.008 Ω
最大连续漏极电流110 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置单
长度10.54mm
高度8.77mm

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRF3205PB
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