| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF1010ZSPBF | International Rectifier | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 55V, 0.0075OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB | 88 1起订 | 1+ 7+ 69+ | ￥106.98 ￥53.49 ￥49.93 | 1-3周 | 购买 |
| IRF1010ZSPBF | International Rectifier | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 55V, 0.0075OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB | 48 1起订 | 1+ 3+ 15+ | ￥42.14 ￥31.6 ￥26.34 | 1-3周 | 购买 |
| IRF1010ZSPBF | Infineon Technologies AG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 55V, 0.0075OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB | 1 1起订 | 1-3周 | 询价 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 55V SINGLE N-CH HEXFET PWR MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRF1010ZSPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 55V, 94A, D2-PAK
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010ZSPBF [更多] | International Rectifier |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF1010ZSPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF1010ZSPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF1010ZSPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
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| IRF1010ZSPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRF1010ZSPBF 品牌： Infineon 库存编号： 650-3684 | 搜索 | ||
| 制造商零件编号： IRF1010ZSPBF 品牌： Infineon 库存编号： 913-3916 | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF1010ZSPBF | 8657351 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 55 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR MOSFET N, 55 V 66 A 140 W D2PAK, IRF1010ZSPBF, IR 型号：IRF1010ZSPBF 仓库库存编号：171-38-787 | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRF1010Z(S,L) |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRF1010ZL Saber Model IRF1010ZL Spice Model |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 75A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 7.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 95nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2840pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 140W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 8IRF1010ZSPBF |
