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Fairchild Semiconductor - FQP10N20CTSTU - MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 - FQP10N20CTSTU
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FQP10N20CTSTU
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ON Semiconductor

MOSFET N-CH/200V/10A/QFET Short Leads

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
FQP10N20CTSTU
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Fairchild Semiconductor Corporation  

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Fairchild/ON Semiconductor - FQP10N20CTSTU - MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 72W(Tc) TO-220-3

型号:FQP10N20CTSTU
仓库库存编号:FQP10N20CTSTU-ND

无铅
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FQP10N20CTSTU|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FQP10N20CTSTU
制造商型号: FQP10N20CTSTU
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
数据列表 FQP10N20C, FQPF10N20C
TO-220 Tube Packing Data
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列QFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)9.5A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)360 毫欧 @ 4.75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)510pF @ 25V
功率 - 最大值72W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220

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