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FQN1N60CTA [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Fan-Fold RoHS: Compliant | 搜索 |
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FQN1N60CTA [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo - Ammo Pack (Alt: FQN1N60CTA) RoHS: Compliant | 搜索 |
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FQN1N60CTA | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | FQN1N60CTA FAIRCHILD | FQN1N60C 系列 600 V 11.5 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-92-3![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92 详细描述:通孔 N 沟道 300mA(Tc) 1W(Ta),3W(Tc) TO-92-3 型号:FQN1N60CTA 仓库库存编号:FQN1N60CTACT-ND 别名:FQN1N60CTACT <br> | 无铅 | 搜索 |
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FQN1N60CTA![]() | 2453902 | ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
数据列表 | FQN1N60C |
---|---|
产品相片 | TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead |
标准包装 | 2,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | QFET™ |
包装 | 带盒(TB) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 300mA (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 11.5 欧姆 @ 150mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6.2nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 170pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
产品目录页面 | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | FQN1N60CTA-ND FQN1N60CTATB |