| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQD7N20LTM [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQD7N20LTM [更多] | ON Semiconductor | MOSFET QF 200V 750MOHM L DPAK RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQD7N20LTF [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQD7N20LTM [更多] | ON Semiconductor | MOSFETs RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQD7N20LTM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: FQD7N20LTM) RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQD7N20LTM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: FQD7N20LTM) RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQD7N20LTM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: FQD7N20LTM) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQD7N20LTM [更多] | ON Semiconductor | N-CH/LL/200V/5.5A/0.75OHM@VGS=
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| FQD7N20LTM [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FQD7N20LT | Fairchild Semiconductor | Transistor,MOSFET,N Channel,Single,DPAK,FQD7N20LTF | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | FQD7N20LT Fairchild Semiconductor | Transistor,MOSFET,N Channel,Single,DPAK,FQD7N20LTF 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | FQD7N20LTF Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak 型号：FQD7N20LTM 仓库库存编号：FQD7N20LTMCT-ND 别名：FQD7N20LTMCT <br> | | 搜索 |
| Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak 型号：FQD7N20LTF 仓库库存编号：FQD7N20LTF-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8 nC V @ 5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 390 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 尺寸 | 6.6 x 6.1 x 2.3mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2500 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.75 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 5.5 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 高度 | 2.3mm |
