| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQB8N60CTM [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQB8N60CTM [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQB8N60CTM-WS [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 600V, NCH MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
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| FQB8N60CTM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FQB8N60CTM) RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQB8N60CTM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FQB8N60CTM) RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQB8N60CTM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FQB8N60CTM) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQB8N60CTM [更多] | ON Semiconductor | N-Channel 600 V 7.5 A 1.2 O Surface Mount QFET? Mosfet - TO-263 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| FQB8N60CTM [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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| FQB8N60CT | Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，600V，7.5A，D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | FQB8N60CT Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，600V，7.5A，D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7.5A 详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB） 型号：FQB8N60CTM_WS 仓库库存编号：FQB8N60CTM_WSCT-ND 别名：FQB8N60CTM_WSCT <br> | | 搜索 |
| Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB） 型号：FQB8N60CTM 仓库库存编号：FQB8N60CTMFSCT-ND 别名：FQB8N60CTMFSCT <br> | | 搜索 |
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| 制造商零件编号： FQB8N60CTM 品牌： Fairchild Semiconductor 库存编号： 671-0924 | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 81 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 16.5 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 28 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 965 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 3130 mW | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.2 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 7.5 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 高度 | 4.83mm |
