型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FQB50N06LTM [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
FQB50N06LTM [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
FQB50N06LTM [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FQB50N06LTM [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FQB50N06LTM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FQB50N06LTM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FQB50N06LTM) RoHS: Compliant | 搜索 |
FQB50N06LTM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FQB50N06LTM) RoHS: Compliant | 搜索 |
FQB50N06LTM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FQB50N06LTM) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FQB50N06LTM [更多] | ON Semiconductor | FQB50N06L Series 60 V 52.4 A 21 mOhm SMT N-Channel QFET Mosfet - D2PAK-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FQB50N06LTM [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FQB50N06LTM [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation | 52.4 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FQB50N06LT | Fairchild Semiconductor | MOSFET,N沟道,60V,52.4A,D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | FQB50N06LT Fairchild Semiconductor | MOSFET,N沟道,60V,52.4A,D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 52.4A(Tc) 3.75W(Ta),121W(Tc) D2PAK(TO-263AB) 型号:FQB50N06LTM 仓库库存编号:FQB50N06LTMFSCT-ND 别名:FQB50N06LTMFSCT <br> | 无铅 | 搜索 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: FQB50N06LTM 品牌: Fairchild Semiconductor 库存编号: 671-0902 | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 80 ns | |
典型接通延迟时间 | 20 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 24.5 nC V @ 5 | |
典型输入电容值@Vds | 1250 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 9.65mm | |
封装类型 | D2PAK | |
尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 3750 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 60 V | |
最大漏源电阻值 | 0.021 Ω | |
最大连续漏极电流 | 52.4 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.67mm | |
高度 | 4.83mm |