型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FQAF13N80 库存编号:FQAF13N80 | onsemi | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail - Rail/Tube (Alt: FQAF13N80) | 0 253起订 | 253+ 260+ 510+ 1300+ 2600+ | ¥32.38 ¥32.22 ¥32.05 ¥31.39 ¥31.23 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FQAF13N80 | Fairchild Semiconductor Corporation | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8A I(D), 800V, 0.75OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET | 196 1起订 | 1+ 17+ 61+ | ¥114.55 ¥76.37 ¥70.64 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FQAF13N8 | Fairchild Semiconductor | MOSFET,N沟道,800V,8A,TO-3PF | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | FQAF13N8 Fairchild Semiconductor | MOSFET,N沟道,800V,8A,TO-3PF 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
![]() | FQAF13N80 FAIRCHILD | FQAF13N80 系列 800 V 0.75 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-3PF![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | FQAF13N80 FAIRCHILD | FQAF13N80 系列 800 V 0.75 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-3PF![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | FQAF13N80 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | FQAF13N8 Fairchild Semiconductor | MOSFET,N沟道,800V,8A,TO-3PF 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF 详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF 型号:FQAF13N80 仓库库存编号:FQAF13N80-ND | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: FQAF13N80 品牌: Fairchild Semiconductor 库存编号: 671-4982 | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 155 ns | |
典型接通延迟时间 | 60 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 68 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 2700 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 5.7mm | |
封装类型 | TO-3PF | |
尺寸 | 15.7 x 5.7 x 16.7mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 120000 mW | |
最大栅源电压 | ±30 V | |
最大漏源电压 | 800 V | |
最大漏源电阻值 | 0.75 Ω | |
最大连续漏极电流 | 8 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 15.7mm | |
高度 | 16.7mm |