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| FDP039N08B-F102 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N CH 80V 120A TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| FDP039N08B_F102 [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| FDP039N08B_F102 [更多] | ON Semiconductor | FET 80V 3.9 MOHM TO220
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| FDP039N08B_F102 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N CH 80V 120A TO-220 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N CH 80V 120A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 214W（Tc） TO-220-3 型号：FDP039N08B_F102 仓库库存编号：FDP039N08B_F102-ND |  | 搜索 |
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| 制造商零件编号： FDP039N08B_F102 品牌： Fairchild Semiconductor 库存编号： 864-8537 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | FDP039N08B_F102 |
|---|---|
| 标准包装 | 400 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 80V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 120A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3.9 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 133nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 9450pF @ 40V |
| 功率 - 最大值 | 214W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
