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Diodes/Zetex - ZXMS6005SGT - 自保护,低侧,MOSFET,SOT223 - ZXMS6005SGT
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型号 制造商 描述 操作
ZXMS6005SGTA
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Diodes Incorporated

IC LOW SIDE DRIVER

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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ZXMS6005SGTA
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Diodes Incorporated

IC LOW SIDE DRIVER

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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ZXMS6005SGTA
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Diodes Incorporated

IC LOW SIDE DRIVER

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
ZXMS6005SGTA
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Diodes Incorporated

MOSFET 60V N-Ch FET FET 2A 480mJ Enh

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
ZXMS6005SGTA
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Diodes Incorporated

self protected low side MOSFET with logic level input

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
ZXMS6005SGTA
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Diodes Incorporated

Trans MOSFET N-CH 70V 2A 4-Pin SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMS6005SGTA)

RoHS: Not Compliant

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ZXMS6005SGTA
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Diodes Incorporated

Trans MOSFET N-CH 70V 2A 4-Pin SOT-223 T/R (Alt: ZXMS6005SGTA)

RoHS: Compliant

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ZXMS6005SGTA
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Diodes Incorporated

Self Protected Low Side MOSFET Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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ZXMS6005SGTA
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Zetex / Diodes Inc

Self Protected Low Side MOSFET Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

RoHS: Compliant

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ZXMS6005SGTA
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Zetex / Diodes Inc

Self Protected Low Side MOSFET Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
ZXMS6005SGTA
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Diodes Incorporated

MOSFET, N CH, W ESD, 60V, 2A, SOT223

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ZXMS6005SGTA
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Diodes Incorporated

MOSFET, N CH, W ESD, 60V, 2A, SOT223

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型号 制造商 描述 操作
ZXMS6005SGTA
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Diodes Incorporated

Power FET Operating temperature: -40...+125 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N channel Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1 W

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  自家仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
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ZXMS6005SGT Diodes/Zetex 自保护,低侧,MOSFET,SOT223 查看库存、价格及货期
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ZXMS6005SGTA|Diodes IncZXMS6005SGTA
Diodes Inc
场效应管 MOSFET N沟道 ESD 60V 2A SOT223
Rohs

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无图ZXMS6005SGT
Diodes/Zetex
自保护,低侧,MOSFET,SOT223
Rohs

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Diodes Incorporated - ZXMS6005SGTA - IC LOW SIDE DRIVER
Diodes Incorporated
IC LOW SIDE DRIVER


型号:ZXMS6005SGTA
仓库库存编号:ZXMS6005SGTA-ND

无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
ZXMS6005SGTA
DIODES INC. ZXMS6005SGTA
1902501

DIODES INC.

晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V

(EN)
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ZXMS6005SGTA
DIODES INC. ZXMS6005SGTA
1902501RL

DIODES INC.

晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V

(EN)
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Diodes Inc - ZXMS6005SGTA - Self Protected Low Side MOSFET SOT223|70438881 | ChuangWei Electronics
Diodes Inc
Self Protected Low Side MOSFET SOT223


型号:ZXMS6005SGTA
仓库库存编号:70438881

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  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

DiodesZetex - ZXMS6005SGTA - DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6005SGTA, 2 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
ZXMS6005SGTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
738-5216
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图ZXMS6005SGT
Diodes/Zetex
自保护,低侧,MOSFET,SOT223
Rohs

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ZXMS6005SGTA|Diodes IncZXMS6005SGTA
Diodes Inc
场效应管 MOSFET N沟道 ESD 60V 2A SOT223
Rohs

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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Diodes Incorporated - ZXMS6005SGTA - Power FET SOT-223 N channel 60 V 1.6 A, ZXMS6005SGTA, Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Power FET SOT-223 N channel 60 V 1.6 A, ZXMS6005SGTA, Diodes Incorporated


型号:ZXMS6005SGTA
仓库库存编号:300-41-575

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无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ZXMS6005SGT
制造商型号: ZXMS6005SGT
制造商: Diodes/Zetex
描述: 自保护,低侧,MOSFET,SOT223
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间34000 ns
典型接通延迟时间6000 ns
安装类型表面贴装
宽度3.55mm
封装类型SOT-223
尺寸6.55 x 3.55 x 1.65mm
引脚数目4
最低工作温度-40 °C
最大功率耗散1.6 W
最大漏源电压70 V
最大漏源电阻值250 mΩ
最大连续漏极电流2 A
最高工作温度+125 °C
每片芯片元件数目1
类别MOSFET 驱动器
通道模式增强
通道类型N
配置双源、单
长度6.55mm
高度1.65mm

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: ZXMS6005SGT
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