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ZX3CD1S1M832TA [更多] | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 12V/1A Sch Comb
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ZX3CD1S1M832TA | Diodes Inc | TRANS/SCHOTTKY PNP DL 3X2MM 8MLP | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Diodes Incorporated TRANS PNP 12V 4A 3X2MM 8MLP 详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP + Diode (Isolated) 12V 4A 110MHz 3W Surface Mount 8-MLP (2x3) 型号:ZX3CD1S1M832TA 仓库库存编号:ZX3CD1S1M832TACT-ND 别名:ZX3CD1S1M832TACT <br> | 含铅 | 搜索 |
数据列表 | ZX3CD1S1M832 |
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产品相片 | MPL 3x2 Pkg |
产品目录绘图 | Transistor MLP 3x2 Pin Out |
其它图纸 | MLP Side MLP 3x2 Bottom |
PCN Obsolescence | MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | PNP + 二极管(隔离式) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 12V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 150mA,4A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 25nA |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 2.5A,2V |
功率 - 最大值 | 3W |
频率 - 跃迁 | 110MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-MLP |
供应商器件封装 | 8-MLP/DFN(3x2) |
其它名称 | ZX3CD1S1M832TATR |