型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
CMF20120D | Cree Inc | SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | CMF20120D CREE | 功率场效应管 MOSFET N沟道 碳化硅 1200V 33A TO247-3![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商零件编号: CMF20120D 品牌: Wolfspeed 库存编号: 904-7342 | 搜索 |
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![]() | Cree/Wolfspeed MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3 详细描述:通孔 N 沟道 1200V 42A(Tc) 215W(Tc) TO-247-3 型号:CMF20120D 仓库库存编号:CMF20120D-ND | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | CMF20120D |
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产品相片 | TO-247-3 |
应用说明 | SiC MOSFET Isolated Gate Driver |
产品培训模块 | 1200V SiC Mosfet Overview |
视频文件 | Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | Z-FET™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | SiCFET N 通道,碳化硅 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 42A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 110 毫欧 @ 20A,20V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 90.8nC @ 20V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1915pF @ 800V |
功率 - 最大值 | 150W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |