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Cree Inc - CMF20120D - SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 - CMF20120D
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CMF20120D
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Wolfspeed SICFET N-CH 1200V 42A TO247-30
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CMF20120D
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Cree, Inc.

MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT

RoHS: Compliant

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CMF20120D|CREECMF20120D
CREE
功率场效应管 MOSFET N沟道 碳化硅 1200V 33A TO247-3
Rohs

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CMF20120D|Cree IncCMF20120D
Cree Inc
SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3
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Wolfspeed - CMF20120D - Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET CMF20120D, 42 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
CMF20120D
品牌:
Wolfspeed
库存编号:
904-7342
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Cree/Wolfspeed - CMF20120D - MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3

详细描述:通孔 N 沟道 1200V 42A(Tc) 215W(Tc) TO-247-3

型号:CMF20120D
仓库库存编号:CMF20120D-ND
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CMF20120D|Cree Inc
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CMF20120D
制造商型号: CMF20120D
制造商: Cree Inc
描述: SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 CMF20120D
产品相片 TO-247-3
应用说明 SiC MOSFET Isolated Gate Driver
产品培训模块 1200V SiC Mosfet Overview
视频文件 Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列Z-FET™
包装  管件  
FET 类型SiCFET N 通道,碳化硅
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)42A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)110 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)90.8nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1915pF @ 800V
功率 - 最大值150W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

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