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Comchip Technology - HER308GA-G - DIODE HIGH EFF 1KV 3A DO27 - HER308GAG
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HER308GA-G
库存编号:HER308GA-G-ND
Comchip Technology Corporation Ltd DIODE STANDARD 1000V 3A DO270
1200起订
1200+
2400+
3600+
6000+
8400+
12000+
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HER308GA-G
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Comchip Technology Corporation Ltd

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AA

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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HER308GA-G
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Comchip Technology Corporation Ltd

Rectifiers RECT 3A 1000V

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无图HER308GA-G
Comchip Technology
DIODE HIGH EFF 1KV 3A DO27
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Comchip Technology - HER308GA-G - DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AA
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AA

详细描述:标准 通孔 二极管 3A DO-27

型号:HER308GA-G
仓库库存编号:HER308GA-G-ND

无铅
搜索
无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
HER308GA-G
制造商型号: HER308GA-G
制造商: Comchip Technology
描述: DIODE HIGH EFF 1KV 3A DO27
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 HER301G~308G-G Series
标准包装  1,200
类别分立半导体产品
家庭单二极管/整流器
系列-
包装  带盒(TB)  
二极管类型标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io)3A
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)1.7V @ 3A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)75ns
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 1000V
不同?Vr、F 时的电容-
安装类型通孔
封装/外壳DO-201AA,DO-27,轴向
供应商器件封装*

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