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Central Semiconductor - CYT5551HCD - 两极晶体管 - BJT Small Signal Dual NPN Hi Volt - CYT5551HCD
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CYT5551HCD
[更多]		 Central Semiconductor Corp

Bipolar Transistors - BJT Small Signal Dual NPN Hi Volt

RoHS: Compliant

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CYT5551HCD|Central SemiconductorCYT5551HCD
Central Semiconductor		两极晶体管 - BJT Small Signal Dual NPN Hi Volt
Rohs

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CYT5551HCD|Central Semiconductor
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
CYT5551HCD
制造商型号： CYT5551HCD
制造商： Central Semiconductor
描述： 两极晶体管 - BJT Small Signal Dual NPN Hi Volt
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Central Semiconductor
RoHS: 符合
配置:Dual
晶体管极性:NPN
集电极—基极电压 VCBO:180 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—射极饱和电压:0.2 V
增益带宽产品fT:100 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:30
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-228
集电极连续电流:1 A
直流电流增益 hFE 最大值:250
最大功率耗散:2 W
最小工作温度:- 65 C
封装:Reel

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