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| NE68033-T1B-A [更多] | California Eastern Laboratories (CEL) | RF Bipolar Transistors NPN High Frequency RoHS: Compliant | 搜索 |
| 2SC3585-T1B-A [更多] | California Eastern Laboratories (CEL) | RF Bipolar Transistors NPN High Frequency RoHS: Compliant | 搜索 |
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| NE68033-T1B-A | CEL | TRANSISTOR NPN 10GHZ SOT-23 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | NE68033-T1B-A CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES | NE68033 系列 6 - 10 GHz NPN 放大器 and 振荡器 晶体管 - SOT 23  | 查价格库存 查看详细 |
 | NE68033-T1B-A CEL | TRANSISTOR NPN 10GHZ SOT-23 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | CEL RF TRANSISTOR NPN SOT-23 详细描述：RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount SOT-23 型号：NE68033-T1B-A 仓库库存编号：NE68033-T1B-ACT-ND 别名：NE68033-T1B-ACT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | NE680 Series NE680 Series |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | RF 晶体管 (BJT) |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 10V |
| 频率 - 跃迁 | 10GHz |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 1.6dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| 增益 | 4.2dB ~ 11dB |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，6V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 35mA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | NE68033-T1B-A-ND NE68033-T1B-ATR NE68033T1BA |
